Курсовая: Основні механізми відмов. Розрахунок показників надійності інтегральних схем.

ЗМІСТ

Завдання на КР…………………………………………………………….……...
Реферат……………………………………………………………...……….……
Вступ………………………………………………………………………………
1 Основні механізми відмов…………………………………………………..…
1.1 Відмови ІС при руйнуванні металізації внаслідок електроміграції…...
1.2 Відмови внаслідок зарядової нестабільності в шарі окислу
та на межі окисла з напівпровідником……………………………………….…
1.3 Відмови внаслідок електричного пробою окисла та p-n переходу…...
2 Розрахунок показників надійності……..……………………………….……
2.1 Вихідні дані……………………………………………….…………………
2.2 Розрахунки……………………………………………………………..……
Висновки……………………………..………………………………………. …
Література……….………………………………………………………… ……

ВСТУП

Реальна напівпровідникова структура, що є основним активним елементом будь-якого напівпровідникового приладу й інтегральної мікросхеми, у якій відбуваються складні електронні процеси, дуже далека від ідеальної. Внесення різних недосконалостей і дефектів у напівпровідникову структуру починається з вихідних матеріалів і продовжується практично на кожнім етапі технологічного процесу. Умовно дефекти в залежності від розмірів і можливості виявлення у виробничих умовах поділяють на грубі, чи макроскопічні, і дрібні, чи мікроскопічні, котрі найчастіше ще називають випадковими.
Більшість мікроскопічних недосконалостей і дефектів не піддаються контролю і присутність їх у приладах неминуча. Тому ми повинні розглядати кожен прилад як об'єкт, що знаходиться в нерівновагому стані через присутність в ньому мікроскопічних дефектів і недосконалостей. Останні у свою чергу випадковим образом розподілені в генеральній сукупності приладів.
Кожний з дефектів чи недосконалостей вносить свій внесок у деградаційні процеси, що відбуваються в приладі, що у підсумку...

Бесплатно скачать реферат "Основні механізми відмов. Розрахунок показників надійності інтегральних схем." в полном объеме