Реферат: До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозонних

Є ціла низка експериментальних даних незворотної взаємодії лазерного випромінювання з вузькозонними напівпровідниками АIIIВV [1-3]. Ці результати наводять на думку, що в напівпровідниках при опроміненні випромінюванням рубінового лазера виникають дефекти локального типу з різними енергіями активації та відпалу. Ці дефекти мають n-тип провідності.
Енергетична залежність для розподілу n-центрів у приповерхневому шарі подана на рис.1 кривою 1 [1]. Ці n-центри зумовлені дефектами (крива 2, рис. 1). Окрім того вони мають низьку рухливість, майже на порядок меншу від вільних носіїв. При термообробці кількість носіїв у шарі зменшується. Однак частина n-центрів для досить високих інтенсивностей опромінення зберігає свою стійкість при T=4000C в InSb та при T=8000C в InAs.
Слід зазначити, що концентрація оптично генерованих дефектів настільки велика, що при середніх дозах іонної імплантації додаткове опромінення імпульсами рубінового лазера призводить до збільшення кількості дефектів (крива 3, рис. 1), тоді як опромінення імпульсами лазера на СО2 призводить до відпалу дефектів (крива 4 рис. 1) та до активації впровадженої домішки [1].
При цьому концентраційний профіль залежить від кристалографічної орієнтації [2; 3] (рис. 2). Це зумовлено тим, що кристали InSb мають значний процент ковалентних зв’язків, що й призводить до анізотропії дефектоутворення.
У спектрах оберненорозсіяних іонів у режимі каналювання зареєстрована генерація дефектів решітки в приповерхневому шарі [1-3] кристалів InSb під дією випромінювання рубінового лазера з густиною енергії в імпульсі I0=0,018? ?0,078 Дж?см-2 до рівня, який реєструється методикою. Відносна зміна дефектності ?D зображена кривою 2 на рис.1. Співставляючи дані для ?D=f(I0) та для nS=f2(I0) (де nS – шарова концентрація), легко бачити, що генерація n-центрів зумовлена дефектоутворенням під дією...

Бесплатно скачать реферат "До питання динамічного підпорогового дефектоутворення у вузькозонних" в полном объеме